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Si5513CDC
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
0.10
0.0 8
0.06
I D = 4.4 A
T J = 125 °C
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.04
0.02
0.00
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
12
1.3
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
25
1.1
20
0.9
15
I D = 250 μ A
10
0.7
5
0.5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
100 μs
Time (s)
Single Pulse Power
1
1 ms
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS Limited
1 s, 10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 68806
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
www.vishay.com
5
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